第194章 高压碳化硅（SIC）研发成功(2/2)

首发：~第194章 高压碳化硅（SIC）研发成功

芯片采用的是标准的6英寸碳化硅晶圆生产线。

现阶段，国内虽然有少数研究所能做出碳化硅的样品，但在车规级大规模量产的供应链上，国内的底子依然薄弱。

为了保证无界S7上市后的产能与良品率，林世杰和吴汉明在流程上走了一套极其严密的合资代工模式。

天芯半导体作为核心设计方，将这套基于0.35微米制程的碳化硅芯片图纸，交由香港的一家海外壳公司进行中转持股，最终交给了位于上海的一家拥有国际顶尖车规级代工经验的合资晶圆厂进行一期试产。

这种操作既避开了不必要的锋芒，又最大程度利用了现有的国际供应链，把生产流程卡在了最稳妥的节点上。

在生产线上，传统的硅基芯片只需要在1000摄氏度左右进行掺杂，而这枚碳化硅芯片，则需要在1700摄氏度以上的高温下，注入高能量的氮离子或磷离子，并且后续要通过极其苛刻的高温退火工艺来修复晶格损伤。

整个生产过程的控制难度，堪称在微米级的高温地狱里雕刻。

但结果是惊人的。

这枚芯片在400V电压平台工作时，其导通电阻比传统的硅基IGBT降低了整整70%，开关损耗降低了近80%。

这意味着，无界S7的电驱系统将在相同电量下，平白无故多出几十公里的续航，并且热量产生极低。

确认完所有核心参数后，吴汉明再也抑制不住内心的激动，他猛地抓起桌上的保密电话，直接拨通了董事长办公室的内线。

电话只响了一声就被接通了，那头传来了许晨沉稳的声音：“吴总，看样子是有结果了？”

“许总！成了！彻底成了！”吴汉明握着话筒，声音因为兴奋而微微有些发颤，“0.35微米车规级高压碳化硅芯片，今天上午完成了全部的全量级流水线实测，各项参数不仅完美达标，在热损耗和耐压抗造性上，比我们预想的还要优秀！”

电话那头的许晨明显也长出了一口气，随后传来一阵笔尖落在纸上的沙沙声。

“很好，吴总。你们团队这段时间辛苦了，让该休息的休息。”许晨笑着说道，“代工厂那边的生产排期能跟上吗？”

吴汉明立刻回答：“已经全部落实到位。上海的合资晶圆厂那边，我们的第一批6英寸碳化硅晶圆已经排进了加急流水线。按照目前试产的良品率估算，四月底首批供无界S7量产使用的碳化硅功率模块就能成批次运抵郑州总装车间！”

“动作要快。”许晨吩咐道，“把流片成功的详细技术报告和实测数据，立刻给中央研究院的林世杰林总送一份过去。既然神经元芯片已经出来了，让林总的电子电气架构部全速运转，把这颗芯片跟天擎的星海电池在底盘上做最后的软硬件前融合标定。”

“明白，我这就亲自给林总送过去。”

放下电话，吴汉明小心翼翼地将那枚黑色的碳化硅芯片样片放进专用的防静电保护盒里。

随着天芯半导体的这次破局，天宇集团在新能源汽车最核心、最容易被卡脖子的功率半导体领域，终于完成了独立自主的闭环。

接下来只需要将这枚芯片和无界S7整车融合起来。

……