第375章 学术上的切磋(1/2)

首发：~第375章 学术上的切磋

【亲爱的理查德】

【你的信收到了。你在信中关于硅提纯和传感器材料的回复，我仔细读了好几遍。区域提纯的原理我大概能理解，但具体操作参数还需要摸索。如果你方便的话，能不能再多说两句关于加热环移动速度的内容？我们这边的炉子温控精度有限，我担心移动速度太快杂质赶不干净，太慢又效率太低。我知道有些东西你不能写，但如果你能给个大概的范围，我会非常感激。】

【另外，我在鲍曼这边也在尝试做一些半导体相关的小实验，比如用单晶锗制作二极管。目前已经成功做出来了第一颗样品，电性能测试结果还算满意。这是一个很小的起步，但对我来说意义重大。毕竟，亲手做出一颗器件，和只在书本上读到它，是完全不同的体验。】

【如果有一天我能做出硅二极管，那我一定会第一时间告诉你。】

【对了，关于我之前在信里提到的那个多次氧化、多次腐蚀的想法，你后来有没有去试过？或者你们实验室的其他人有没有去试过？我纯粹是好奇。那个想法是我在做一个传感器封装项目的时候瞎想的，没有经过严格的实验验证。如果已经有人试过了发现走不通，那我也就不用在这上面浪费时间了。】

她写到这一段的时候笔尖顿了一下，嘴角微微翘起来。

多次氧化、多次腐蚀这个方向在后世被证明是一条死路。

层数越多，对准误差越大，良率越低，成本越高。

给点反馈好不好！如果效果不错！那证明她的骚操作没问题！以后可以让美帝在这条路上越跑越远！

毕竟贝尔实验室真的在这上面投入了资源，那她的目的就达到了，浪费他们的时间和经费。

如果他们没有，那她也不亏，至少知道这个方向有没有被重视。

她刚刚已经过了一遍集成电路的工艺流程，把每一个环节的知识缺口列了出来。

但除了这些硬件问题，还有什么是她不知道的？

她在笔记本上又加了几行，材料的掺杂均匀性怎么控制？PN结的击穿电压怎么调节？不同金属和半导体的接触电阻怎么优化？这些问题随便拎一个出来都能写一篇博士论文。

她继续往下写，先给人家一点点甜头吧。

【你上次信里提到的那个新的控制策略，你说你很感兴趣。我理解你的好奇，因为我也一样。关于你问的，是线性还是非线性？是基于模型还是无模型？我只能告诉你，我们尝试的这个方向，既不完全是线性的，也不完全是基于模型的。它更像是一种……折中的思路。】

【具体的细节等论文发表后你自然能看到。但我可以给你一个小小的提示，你可以想想，如果系统的模型不那么准确，或者系统的参数在运行过程中发生变化，传统的控制器可能会失效。那有没有一种控制器，可以在系统运行的过程中自己调整自己？】

自适应的概念在后世是控制理论的基础课内容，但在1956年它还是一种很前沿的思想。

她给理查德的信息足够让他产生兴趣，但又不至于让他觉得她在泄密。

紧接着她又在信纸上加了几行。

【对了，我还想请教几个更具体的问题。如果你方便回答的话。】

【第一，你们在制作硅晶体管的时候，PN结的结深控制在多少微米？这个参数对晶体管的频率特性影响很大，我一直在找相关的公开文献，但没有找到很详细的数据。】

【第二，金属电极和半导体之间的欧姆接触，你们用的是哪种金属？我这边用的是金，但接触电阻有时候不太稳定。我怀疑是表面处理的问题，但又不太确定。】

【第三，二氧化硅层和硅衬底之间的界面态密度，你们有没有什么办法可以降低？我在文献里看到这个参数会影响MOS结构的性能，但没有找到具体的数据。】

这三个问题每一个都很专业，又不是机密到不能回答。

结深、欧姆接触、界面态密度，这些都是衡量一个实验室工艺水平的关键指标。