第484章 我不会让你输(1/4)

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第484章我不会让你输

陈学兵说出这句话，内心也经过了一番挣扎。

扶柳传上位，让张汝京退位，这些事若传出去，以后人们不知会怎样看他。

可事情往往就是这么反直觉。

柳传还有利用的价值，张汝京继续待在中芯，却是一点好处都没有了。

这一点都不公平，可是...它需要这么发生。

「陈总，你到底站在哪一边？！」张汝京背起了手，有些激动地问道。

陈学兵早已有了迎接怒火的准备，此时十分冷静地回答：「自然是国产半导体这一边「」

。

「砰！」

张汝京猛地将桌上的诉讼副本拍在桌面上，语气里满是悲愤与倔强：「台积电要我退位？我偏不退！他们告一次，我接一次！1.75亿美元的赔偿我扛了，90nm，甚至65nm的技术难关我闯了，现在你告诉我，要我用退位换和解？这不是妥协，这是认输！是对所有跟著我回国干半导体的兄弟的背叛！」

陈学兵端坐不动，等张汝京的怒火稍歇才缓缓道：「张董，65nm你可以靠193nm浸没式光刻和偏光照明、OPC、RET这些光学技巧硬闯过去，可45nm不是光靠技巧就能解决的。

「台积电和英特尔在45nm已经用上了193nm浸没式：NA值1：2的光刻机：高NA透镜：双重曝光，中芯呢？你们连一台真正的193i都还没完全跑顺，更别说DP工艺整合、套刻精度、overlay控制。

「45nm的栅极cD要求已经到了40nm以下，单靠193nm单曝，衍射极限摆在那里，线宽粗糙度（LWR）、CD均匀性根本压不下去。

「更别说HKMG（高k金属栅）、应变矽、低k介质、铜互连的电迁移问题，这些不是买几台设备就能解决的，需要整个工艺平台的积累。

「台积电在45nm已经做了两年以上的工艺验证，中芯现在连65nm的良率都稳定不了，你告诉我，45nm靠什么跟他们拼？靠勇气吗？」

这顿输出，把张汝京说哑了。

他没想到一个投资人，竟然跟他讲技术问题，还把问题讲得如此专业和具体。

实际上陈学兵此前对晶圆制造也就知道个流程，晓得哪些工艺比较关键，这次是让辛梦真咨询了DCT请来的日本专家，废了很大的劲才把这些专业名词的含义大概掌握，不过根据中芯国际面临的层层技术阻碍，不需要深懂，已经让张汝京无法回答了。

「45纳米，单曝必死，多重曝光是唯一的量产路径。」

陈学兵沉声说罢，又再问道：「如果没有台积电许可，自研多重曝光死路一条，张董你告诉我，你打算怎么解决这个问题？」

前方全是台积电和Inter的专利墙，强做就是专利侵权，甚至没有人家的授权和技术文档，做下去也是成本爆炸。

他问得如此具体，张汝京已经没法用「决心」两个字来回答了。

「我们可以研究混合曝光方案...」张汝京虽回答了，但也有些势弱。

混合曝光，本质上是「能单曝就单曝，实在不行才用多重曝光」的折中方案。

专利风险虽然小一点，但仍然存在，而且单曝多曝工艺不一致，技术缺点太多，是工艺集成工程师的噩梦，这不是长久之路。

陈学兵微微失望的表情摇头，也说明著他的答案并不具备可行性。

张汝京的脸色一阵青一阵白，嘴唇动了动，却一个字也说不出来。