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首发：~第400章 DCT
辛梦真笑着解释道：
“光刻机的功能，就是把电路图案晒到硅片上，就像老式胶片相机曝光，后续再用化学腐蚀做出立体电路，不过它的精度，是头发丝的千分之一，微小到像在米粒上刻完整本《红楼梦》。
“目前的主流光刻机分为干式光刻和浸没式光刻，光源都是氟化氩（ArF）激光，区别在于镜头和硅片之间的介质，一个是空气，一个是水。193nm波长的深紫外光在以空气为介质时，做到65nm芯片就已经看不清图案，但台湾的林本坚博士02年提出了浸没式方案，用超纯水为介质，让深紫外光的波长在水中变短，等效134nm，用水对光的折射率救活了193nm光刻机。”
她这样解释，让投资人们都意识到了难度。
讲到此时，熊晓鸽悠悠感叹道：“03年时，我参加过中国半导体设备供应链闭门会议，跟ASML中国区高管聊了光刻机技术瓶颈与国产化路径，我们还一起去调研了中芯国际，ASML的人告诉我，一台机器里90%的部件中国造不出来，我第一次意识到光刻机比原子弹还难造.”
说到这里，他又有些疑问：“我们去年还促成了中微半导体和美国刻蚀设备巨头泛林的一些交叉专利许可，那时候我和中微的人也聊到过光刻机，他们也说光刻机比他们搞的刻蚀机难很多倍，听起来你们居然想做光刻机整机？是干式还是浸没式？”
此时，中芯国际的投资者朱啸虎连连摇头：
“浸没式？不可能吧？听说尼康的浸没式都不成熟，还不如买ASML的干式，ASML的浸没式更是买不到，连中芯国际都只能”
他质疑了一句，但话也没说完，中芯国际偷偷买二手转运干式机的事情，还是不要说得这么明显为好。
这年头要出高价买机器，还没这么难。
不过这个获取路径都搞不到，也正说明了ASML的技术优势和浸没式光刻机的难度。
辛梦真也不得不承认：
“是不可能，直接做浸没式等于自杀。”
“浸没式的专利已经被ASML和尼康布下天罗地网，水浸折射专利、浸液控制系统专利、防污染镜头涂层专利，都是新专利，我算过，如果要做浸没式，每台设备要向两家支付专利费300万美元，占总成本的40%。
“还有供应链，蔡司1.35NA镜头、ASML纳米级浸液头、日本荏原的超纯水循环系统都是垄断状态。
“我们只能从干式做起，收购日本二手光刻机进行逆向开发，这里面很多专利已经过期了，属于半公开状态，另外0.93NA镜头国内已经有基础，我们可以联合国内公司进行研发，干式光刻机的组装调试可以培养基础光学和机械团队，为浸没式的研发做储备。”
这都是她这些天好不容易搜集到的资料。
光搜集到这些资料，她都动用了家里不少关系才向一些大厂打听到。
半导体设备这个行业真的是非常的封闭，越了解，就越深刻地感觉到难度，这些天她了解光刻机原理都花了很多时间，所以才想转半导体专业。
她唯一的信心来源是陈学兵告诉她，可以收购。
今年把人才基础培养好，引入资本，明年有美元，也有机会，香港讲英文，很多国际人才也愿意来，具备起步的天然优势。
在一旁观察的陈学兵看着大家都在谓难，心里也在苦笑。
一帮人讲来讲去，讲的都还是DUV。
还没人提到EUV呢。
他只能点了点桌子，说道：
“我们之所以选择进入这个行业，就是因为半导体的市场越来越大了。
“最近，美国Cymer还开发出了一种激光等离子体光源，波长只有13.5纳米，但光源形成的条件非常苛刻，并且介质必须为真空，遇到空气都会被吸收。
“这样的设备，光源制造、真空环境、镜片、光刻胶、掩膜版，整个链路的核心子系统都必须重做，芯片制程还有很长的路要走，未来其实是很空荡的。
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