科技入侵现代

第174章 最误打误撞的一集(1/5)

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首发:~第174章 最误打误撞的一集

“我们的实验室产能已经能够做到6N了,如果我们能够达成合作,我们有把握在一年以内把量产的产能做到7N。”

量产7N什么概念。

苏俄也没这技术。

东德现在还在4N朝着5N爬行呢。

华国方面不太清楚,但东德他们有所了解。

德州仪器首批商用逻辑芯片,用的也就是6N到7N之间。

房间里口水吞咽的声音显得格外清晰。

相当于直接就赶超了硅谷当前最新水平。

“黄博士,您说的是真的吗?”魏斯的声音有些干涩。

穆勒放在桌下的手都已经捏紧了。

黄昆这时候显示出了强大的自信:“当然。

你们应该很清楚华国在工业基础上的薄弱,和东德之间的差距吧。

我们只能用简易的CZ法去拉单晶硅都能做到5N,这可是建立在取法高精度的坩埚材料和提纯设备基础上。

东德的工业基础比我们要好得多,也只能做到4N。

我们目前围绕7N的技术路线已经非常清晰,只是受限于材料和设备的短缺,导致我们无法朝着这个目标前进。”

魏斯看了眼穆勒,穆勒知道这时候该自己发言了:“黄博士,能详细给我们介绍一下你们的技术路线吗?”

黄昆起身站到早就准备好的黑板前:

“不知道你们听过离子注入技术吗?”

穆勒和魏斯回答道:“知道。”

黄昆接着说:“那就好,这一技术是半导体制造中用于在纯硅晶圆上引入掺杂剂的关键工艺,主要用于改变硅的电学性能。

也是硅谷那边提出来的概念技术。

我们已经完成了离子注入所有涉及到的植入分布的数据预测,包括了离子与晶格的碰撞、核阻止和电子阻止带来的能量损失、缺陷形成和扩散等。”

“不可能!”魏斯忍不住了。

也就是因为黄昆确实是晶格动力学领域的奠基人之一,不然他得说你在骗我们了。

正是因为他们都是熟知半导体工艺的科学家加工程师,所以他们才知道这难度有多大。

一般半导体的制造流程,都是边生产边调试。

现在华国人和你说,我们在数学层面已经完成模拟了,甚至还模拟出来了不错的结果。

这有点超出他们认知了。

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