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首发：~第3643章 夏黎：哈哈！笑不是因为开心，是真没招了
现在为什么成本降不下来？
核心原因是从模拟技术到数字技术的代差。
之前没考虑成本这一茬，她上来设想的就是以现有的技术组合，组织上要是直接愿意出钱，到处买各种组件，组到一块立刻就能用。
方便还现成，根本就不用费心，就是价格比较昂贵。
现在要降低成本，就不得不考虑“现代技术+基础功能”，这种得费脑子且不伦不类的方式了。
最开始她计算的是采用真空管或早期晶体管，高性能模拟器件，功耗大。成本大约在1500到7500元之间。
这玩意确实太贵了。
夏黎想了想，在原本的稿纸上涂涂改改，采用CMOS图像传感器技术，也就是后世的互补金属氧化物半导体技术，将感光、数模转换等全部集成在单颗芯片上，取代笨重的摄像管和复杂电路，不但比之前的技术好，还比之前的技术便宜。
用这种技术可以直接把成本降到40块钱。
从1500元到7500元，直降到40元的成本，这绝对是质的飞跃。
不过，以现在华夏的技术，想要造出来这东西，可能倒是有那么一丁点的可能，但是硬件的设备还有些问题。
首先就是华夏没有超净间。CMOS对灰尘的容忍度比双极性更苛刻。一颗尘粒落在栅氧生长区，就等于一个针孔漏电，等于芯片废掉。
这意味着哪怕流程设计对了，良品率也是灾难级的。
不是“做不出”，是“做一百颗坏九十九颗”。
成本简直高到飞起。
第二是芯片欠缺问题。
目前国内倒是有光刻机，不过就那么一台可以用的光刻机，不可能拿来给他们用来做好几十万个芯片，人家华科医院那边的科研人员还得干别的呢。
而且就冲他们那宝贝光刻机的模样，肯定怕他们把东西用坏，不肯让他们做几十万个芯片。
第三是硅材料的纯度不够，CMOS栅氧厚度只有几百埃，任何微量金属污染就等于漏电流暴走。
国产直拉CZ硅当前纯度勉强够双极性/NMOS实验，用于高质量CMOS需要的超低氧、超低金属杂质、无位错单晶，根本拉不出合格的大直径单晶棒。
第四点是：CMOS需要精确控制p-well掺杂剖面。理想做法是用离子注入机，能量和剂量可控。
华夏有少量仿制和进口的离子注入机，但有巴统协议在，想也知道，外国人给华夏的都是落后的产品。
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